Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Rohm, стр.4, (картинки)

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
BSM180D12P2E002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 204 А ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 12 шт.
107 100 руб.
BSM180D12P3C007быстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 1 шт.
142 400 руб.
BSM180D12P3C007, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 180 А ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 10 шт.
89 130 руб.
BSM250D17P2E004, Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Moduleбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 88 шт.
236 700 руб.
BSM300C12P3E201, Модуль для монтажа на шасси N-Channel 1200 В, 300 A (Tc) ...быстрый просмотр
Rohm
7 недель, 4 шт.
91 870 руб.
от 4 шт. — 76 450 руб.
BSM300C12P3E301, Discrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Chopperбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 4 шт.
210 200 руб.
от 4 шт. — 202 000 руб.
BSM300C12P3E301, Silicon Carbide MOSFET, Прерыватель, N Channel, 300 А, 1.2 кВ ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 6 шт.
207 600 руб.
BSM300D12P2E001, Discrete Semiconductor Modules 300A SiC Power Moduleбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 30 шт.
173 600 руб.
от 12 шт. — 168 100 руб.
BSM300D12P3E005, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 А ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 8 шт.
205 800 руб.
BSM400C12P3G202, Silicon Carbide MOSFET, Прерыватель, N Channel, 400 А, 1.2 кВ ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 9 шт.
144 900 руб.
BSM400D12P2G003, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 А ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 6 шт.
321 600 руб.
BSM400D12P3G002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 А ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 4 шт.
186 800 руб.
BSM600C12P3G201, Silicon Carbide MOSFET, Прерыватель, N Channel, 600 А, 1.2 кВ ...быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 4 шт.
190 000 руб.
BSM600D12P3G001, Discrete Semiconductor Modules 576A 1200V HALF BRIDGE SICбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 4 шт.
429 400 руб.
BSS84AHZGT116, MOSFET, P-CH, 60V, 0.23A, SOT-23быстрый просмотр
Rohm
8-10 недель, 2505 шт.
150 руб.
от 100 шт. — 67 руб.
BSS84T116быстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 11789 шт.
130 руб.
от 10 шт. — 91 руб.
от 100 шт. — 42 руб.
от 500 шт. — 32.14 руб.
EM6J1T2R, MOSFET FET Dual Pch -20V -200mA EMT6быстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 239172 шт.
130 руб.
от 10 шт. — 110 руб.
от 100 шт. — 71 руб.
от 500 шт. — 52.67 руб.
EM6K1T2R, MOSFET 2N-CH 30V .1Aбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 20455 шт.
140 руб.
от 10 шт. — 120 руб.
от 100 шт. — 77 руб.
от 500 шт. — 56.99 руб.
EM6K34T2CRбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 86862 шт.
120 руб.
от 10 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 39 руб.
от 500 шт. — 32.25 руб.
EM6K34T2CR, MOSFET 0.9V Drive Nch MOSFETбыстрый просмотр
Rohm
7-9 недель, 60695 шт.
120 руб.
от 10 шт. — 81 руб.
от 100 шт. — 34 руб.
от 1000 шт. — 22.42 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60