Сортировка: По названию Дешевле Дороже
Производители
Время Доступа
Количество Выводов
Конфигурация памяти DRAM
Максимальная Рабочая Температура
Минимальная Рабочая Температура
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Тип памяти
Упаковка
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
A43L2616BV-7F, MEMORY, SDRAM, 64M, 54TSOP
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Время Доступа: 6нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
370
от 10 шт. — 304
от 100 шт. — 271
H55S5122EFR-60M, SDRAM, MOBILE, 512MB, 166MHZ, 90FBGA
2-3 недели
Пр-во: Hynix
Количество Выводов: 90вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 16М x 32бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -30°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: FBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
790
от 10 шт. — 728
H5PS1G63JFR-S5C, SDRAM, DDR2, 1GB (X16), 84FBGA
2-3 недели
Пр-во: Hynix
Количество Выводов: 84вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 64М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 95°C
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: FBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 000
от 10 шт. — 874
IS42S16160G-7BLI, SDRAM, SDR, 256MBIT, 3.3V, 54BGA
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 7нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 16М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: BGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
790
от 10 шт. — 651
IS42S16160G-7TLI, SDRAM, SDR, 256MBIT, 3.3V, 54TSOPII
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 7нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 16М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
790
от 10 шт. — 724
от 100 шт. — 616
IS42S16320D-7TLI, SDRAM, SDR, 512MBIT, 3.3V, 54TSOPII
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 7нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 32М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
2 480
от 10 шт. — 2 320
IS42S16400F-7TLI, SDRAM, IND, 4M X 16, 3V, 54TSOP2
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 5.4нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4 BLK (1М x 16)
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 5 - 48 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
500
от 10 шт. — 376
от 100 шт. — 306
IS42S16400J-7TLI, SDRAM, SDR, 64MBIT, 3.3V, 54TSOPII
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 7нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
180
от 10 шт. — 142
от 100 шт. — 120
IS42S32800D-7BLI, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 90BGA
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 5.5нс
Количество Выводов: 90вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4 BLK (2М x 32)
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: BGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 5 - 48 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 770
от 10 шт. — 1 320
от 100 шт. — 1 070
IS42S32800D-7TLI, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 86TSOP2
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 5.5нс
Количество Выводов: 86вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4 BLK (2М x 32)
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 5 - 48 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 700
от 10 шт. — 1 270
от 100 шт. — 1 030
IS42VM16160K-75BLI, SDRAM, 256MBIT, 133MHZ, BGA-54
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 7.5нс
Количество Выводов: 54вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 16М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: BGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
590
от 10 шт. — 513
от 100 шт. — 456
IS43DR16160A-37CBL, SDRAM, DDR2, 16M X 16, 1.8V, 84BGA
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 450пс
Количество Выводов: 84вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4 BLK (4М x 16)
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: BGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 5 - 48 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
770
от 10 шт. — 586
от 100 шт. — 470
IS43DR16640B-25DBLI, SDRAM, DDR2, 1GBIT, 1.8V, 84BGA
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Количество Выводов: 84вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 64М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: BGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 210
от 10 шт. — 1 100
от 100 шт. — 940
IS43LR32160C-6BLI, SDRAM, DDR3, 512MBIT, 166MHZ, BGA-90
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 6нс
Количество Выводов: 90вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 16М x 32бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: BGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
800
от 10 шт. — 776
от 100 шт. — 673
IS43R16800E-6TLI, SDRAM, DDR, 128MBIT, 2.5V, 66TSOPII
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 6нс
Количество Выводов: 66вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 8М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
310
от 10 шт. — 290
от 100 шт. — 261
IS43TR16128B-15HBLI, SDRAM, DDR3, 2GB, 1333MT/S, FBGA-96
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 13.5нс
Количество Выводов: 96вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 128М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 95°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: FBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 040
от 10 шт. — 787
IS43TR16256A-15HBLI, SDRAM, DDR3, 4GB, 1333MT/S, FBGA-96
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 13.5нс
Количество Выводов: 96вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 256М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 95°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: FBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 310
от 10 шт. — 1 190
IS43TR16640A-15GBLI, SDRAM, DDR3, 1GB, 1333MT/S, FBGA-96
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 12нс
Количество Выводов: 96вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 64М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 95°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: FBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
750
от 10 шт. — 587
M52D32321A-7.5BIG, SDRAM, 32MB, 1.8V, 166MHZ, VFBGA90
2-3 недели
Пр-во: ELITE SEMICONDUCTOR
Количество Выводов: 90вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 2 BLK (512К x 32)
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: VFBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
47
от 10 шт. — 40
от 25 шт. — 34
M52S128324A-7BG, SDRAM, 128MB, 2.5V, 143MHZ, FBGA90
2-3 недели
Пр-во: ELITE SEMICONDUCTOR
Количество Выводов: 90вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM: 4 BLK (1М x 32)
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: FBGA
Тип памяти: DRAM - Синхронная
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
120
от 5 шт. — 103
от 20 шт. — 94
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
  • 1
  • 2