Сортировка: По названию Дешевле Дороже
Производители
Время Доступа
Количество Выводов
Конфигурация Флэш-памяти
Линия Продукции
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Минимальное Напряжение Питания
Размер Памяти
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Тактовая Частота
Тип Интерфейса ИС
Тип памяти
Упаковка
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
A25L016M-F, Флеш память, низковольтная, 16 Мбит, 16М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI, SOP, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
200
от 10 шт. — 165
от 100 шт. — 123
A25L016N-F, Флеш память, 16 Мбит, 16М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI, SOIC, 16 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 16вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
62
от 100 шт. — 49
A25L020CO-F, Флеш память, 2 Мбит, 256К x 8бит, 100 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 2 - 1 год
Добавить к сравнению
2-3 недели
64
от 10 шт. — 62
A25L032M-F, Флеш память, двойной I/O, низкое напряжение, 32 Мбит, 32М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 32Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
410
от 10 шт. — 211
Добавить к сравнению
2-3 недели
65
от 10 шт. — 63
A25L080M-F, Флеш память, низковольтная, 8 Мбит, 8М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI, SOP, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
74
A25L512AO-F, Флеш память, низковольтная, 512 Кбит, 64К x 8бит, 100 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 2 - 1 год
Добавить к сравнению
2-3 недели
33
от 10 шт. — 32
AT45DB041E-SHN-B, Флеш память, последовательная, 4 Мбит, 2048 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2048 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.65В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 10 шт. — 93
от 100 шт. — 81
AT45DB041E-SSHN-B, Флеш память, последовательная, 4 Мбит, 2048 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2048 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.65В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 10 шт. — 93
от 100 шт. — 81
AT45DB081E-SHN-B, Флеш память, последовательная, 8 Мбит, 4096 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
150
от 10 шт. — 131
от 100 шт. — 114
AT45DB081E-SSHN-B, Флеш память, последовательная, 8 Мбит, 4096 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
150
от 10 шт. — 131
от 100 шт. — 114
AT45DB161E-SHD-B, Флеш память, DataFlash®, 16 Мбит, 4096 Страниц x 528Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 528Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.5В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
180
от 10 шт. — 140
от 100 шт. — 123
AT45DB161E-SSHD-B, Флеш память, DataFlash®, 16 Мбит, 4096 Страниц x 528Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 528Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.5В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
240
от 10 шт. — 172
от 25 шт. — 160
AT45DB641E-MHN-Y, Флеш память, последовательная, 64 Мбит, 32К Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, UDFN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32К Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.65В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: UDFN
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
360
от 10 шт. — 279
от 100 шт. — 250
JR28F064M29EWLA, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
170
от 10 шт. — 162
JR28F064M29EWTA, Флеш память, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
270
от 10 шт. — 229
от 100 шт. — 205
JS28F00AM29EWHA, Флеш память, NOR, 1 Гбит, 128М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 128М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 1Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 620
от 10 шт. — 1 410
JS28F064M29EWLA, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
260
от 10 шт. — 237
от 100 шт. — 218
JS28F128P33BF70A, Флеш память, NOR, 128 Мбит, 8М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
600
от 10 шт. — 525
JS28F128P33TF70A, Флеш память, NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
590
от 10 шт. — 537
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая