FLASH Micron, (таблица) 59 из 229

Сортировка: По названию Дешевле Дороже
Производители
Время Доступа
Количество Выводов
Конфигурация Флэш-памяти
Линия Продукции
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Минимальное Напряжение Питания
Размер Памяти
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Тактовая Частота
Тип Интерфейса ИС
Тип памяти
Упаковка
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
JR28F064M29EWLA, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
170
от 10 шт. — 162
JR28F064M29EWTA, Флеш память, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
270
от 10 шт. — 229
от 100 шт. — 205
JS28F00AM29EWHA, Флеш память, NOR, 1 Гбит, 128М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 128М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 1Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 620
от 10 шт. — 1 410
JS28F064M29EWLA, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
260
от 10 шт. — 237
от 100 шт. — 218
JS28F128P33BF70A, Флеш память, NOR, 128 Мбит, 8М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
600
от 10 шт. — 525
JS28F128P33TF70A, Флеш память, NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
590
от 10 шт. — 537
JS28F256M29EWHA, Флеш память, NOR, 256 Мбит, 32М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 256Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
660
от 10 шт. — 607
JS28F256M29EWLA, Флеш память, NOR, 256 Мбит, 32М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 256Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
600
от 10 шт. — 554
от 100 шт. — 510
JS28F512M29EWHA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
710
от 10 шт. — 650
от 100 шт. — 598
JS28F512M29EWLA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
580
от 10 шт. — 529
от 100 шт. — 487
JS28F512P33EFA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 32М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 105нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 320
от 10 шт. — 1 160
от 100 шт. — 1 020
JS28F640P33BF70A, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 4М x 16бит, 40 МГц, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тактовая Частота: 40МГц
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
400
от 10 шт. — 345
JS28F640P33TF70A, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 4М x 16бит, 40 МГц, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тактовая Частота: 40МГц
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
400
от 10 шт. — 344
от 100 шт. — 306
M25P05-AVMN6P, Флеш память, 512 Кбит, 64К x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 512Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
160
от 10 шт. — 126
от 100 шт. — 103
M25P16-VMF6P, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, SOIC, 16 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 1.4мс
Количество Выводов: 16вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 10 шт. — 103
от 100 шт. — 98
M25P16-VMP6G, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, VFQFPN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: VFQFPN
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
87
от 10 шт. — 76
от 100 шт. — 64
M25P16-VMW6G, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, WSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: WSOIC
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
250
от 10 шт. — 166
от 100 шт. — 129
M25P20-VMP6G, Флеш память, низковольтная, 2 Мбит, 256К x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, VDFPN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: VDFPN
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
160
от 10 шт. — 142
от 100 шт. — 128
M25P20-VMP6GB, Флеш память, NOR, 2 Мбит, 256К x 8бит, 75 МГц, SPI, DFN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: DFN
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
83
от 10 шт. — 73
от 100 шт. — 63
Добавить к сравнению
2-3 недели
46
от 10 шт. — 40
от 100 шт. — 32
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая