SRAM ISSI, (таблица) 15 из 123

Сортировка: По названию Дешевле Дороже
Производители
Время Доступа
Количество Выводов
Конфигурация Памяти SRAM
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Минимальное Напряжение Питания
Размер Памяти
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Упаковка
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
IS61C256AL-12JLI, SRAM, 256KBIT, 12NS, SOJ-28
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 12нс
Количество Выводов: 28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 32K x 8bit
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 5.5В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 4.5В
Размер Памяти: 256Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOJ
Упаковка: Each
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 hours
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 25 шт. — 99
от 100 шт. — 88
IS61LV25616AL-10TL, SRAM, 4MBIT, 10NS, TSOP-2-44
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 256K x 16bit
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 3.135В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Упаковка: Each
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 hours
Добавить к сравнению
2-3 недели
430
от 25 шт. — 386
от 100 шт. — 345
IS61LV5128AL-10TLI, IC, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8bit, 10 ns Access Time, 3.135 V to 3.6 V supply, TSOP-44
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 512К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 3.135В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
430
от 10 шт. — 346
от 25 шт. — 332
IS61LV6416-10TL, IC, SRAM, 1 Mbit, 64K x 16bit, 10 ns Access Time, TTL Interface, 3.135 V to 3.6 V supply, TSOP-II-44
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 64К x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 3.135В
Размер Памяти: 1Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
380
от 25 шт. — 321
IS61WV102416BLL-10MLI, SRAM, 16MBIT, 10NS, 48BGA
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 1М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.4В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: Mini BGA
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
2 900
от 10 шт. — 2 700
IS61WV102416BLL-10TLI, SRAM, 16MBIT, 10NS, 48TSOP
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 1М x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.4В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-I
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
2 730
IS61WV10248BLL-10TLI, SRAM, 8MBIT, 10NS, 44TSOPII
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 1М x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.4В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 920
от 10 шт. — 1 800
от 100 шт. — 1 650
IS61WV51216BLL-10TLI, SRAM, 8MBIT, 10NS, 44TSOPII
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 10нс
Количество Выводов: 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 512К x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.4В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 720
от 10 шт. — 1 550
IS62C1024AL-35QLI, IC, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 35 ns Access Time, 4.5 V to 5.5 V supply, SOP-32
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 35нс
Количество Выводов: 32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 5.5В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 4.5В
Размер Памяти: 1Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
180
от 10 шт. — 157
от 100 шт. — 144
IS62C256AL-45ULI, IC, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 45 ns Access Time, 4.5 V to 5.5 V supply, SOP-28
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 45нс
Количество Выводов: 28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 5.5В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 4.5В
Размер Памяти: 256Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
170
от 10 шт. — 153
от 100 шт. — 132
IS62C5128BL-45QLI, SRAM, 4MBIT, 45NS, 32SOP
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 45нс
Количество Выводов: 32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 512К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 5.5В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 4.5В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
390
от 10 шт. — 356
IS62WV1288DBLL-45HLI, SRAM, 1MBIT, 45NS, 32STSOP
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 45нс
Количество Выводов: 32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 1Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-I
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
160
от 10 шт. — 137
от 100 шт. — 117
IS62WV1288DBLL-45QLI, SRAM, 1MBIT, 45NS, 32SOP
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 45нс
Количество Выводов: 32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 128К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 1Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
250
от 10 шт. — 151
от 100 шт. — 139
IS62WV51216BLL-55TLI, IC, SRAM, 8 Mbit, 512K x 16bit, 55 ns Access Time, TTL Interface, 2.5 V to 3.6 V supply, TSOP-II-44
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 55нс
Количество Выводов: 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 512К x 16бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.5В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-II
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 5 - 48 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
620
от 10 шт. — 566
от 100 шт. — 520
IS62WV5128BLL-55HLI, SRAM, 512K X 8, 3V, 55NS, 32STSOP1
2-3 недели
Пр-во: ISSI
Время Доступа: 55нс
Количество Выводов: 32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM: 512К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.5В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP-I
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 5 - 48 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
500
от 10 шт. — 410