Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.6

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

MJL4302AG, Транзистор PNP 350В 15А [ТО-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 230 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	1 160 руб. × от 15 шт. — 1 110 руб.
MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	760 руб. × от 15 шт. — 695 руб.
MJW21194G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	720 руб. × от 15 шт. — 660 руб.
MJW21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	790 руб. × от 15 шт. — 780 руб.
MMBT2222ALT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	17 руб. × от 100 шт. — 15 руб.
MMBT2907ALT1G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	15 руб. × от 100 шт. — 9 руб.
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	10 руб. × от 100 шт. — 5.70 руб.
MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 250 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	12 руб. × от 100 шт. — 9.60 руб.
MMBT4403LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	17 руб. × от 100 шт. — 13 руб.
MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	18 руб. × от 100 шт. — 14 руб.
MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	14 руб. × от 100 шт. — 9.20 руб.
MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	13 руб. × от 100 шт. — 7.30 руб.
MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	14 руб. ×
MMBTA92LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.3 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	18 руб. × от 100 шт. — 14 руб.
MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 60 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 600 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	19 руб. × от 50 шт. — 17 руб.
MMUN2111LT1G, Транзистор PNP Digital 50В 100мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp с 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	14 руб. × от 100 шт. — 9 руб.
MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp с 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	10 руб. × от 100 шт. — 5.40 руб.
MMUN2211LT1G, Транзистор, Digital NPN, 50В, 100мА, [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn с 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	13 руб. × от 100 шт. — 6.50 руб.
MMUN2213LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=47 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn c 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	13 руб. × от 100 шт. — 7.30 руб.
MMUN2235LT1G, Транзистор NPN Digital, R1=2.2 кОм, R2= 47 кОм [SOT-23-3] (AA2) ( аналог BCR108E6327HTSA1) Бренд: ON Semiconductor Структура: npn с 2 резисторами Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 35 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.246 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	8 руб. × от 100 шт. — 4.40 руб.