Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
85 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 85 шт. |
41 руб.
×
от 15 шт. — 38 руб.
|
|
84 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 12.5
|
быстрый просмотр | 84 шт. |
37 руб.
×
от 15 шт. — 36 руб.
|
|
1256 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 1256 шт. |
33 руб.
×
|
|
557 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…160
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 190
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 557 шт. |
48 руб.
×
от 15 шт. — 36 руб.
|
|
1686 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 63…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 8
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 1686 шт. |
44 руб.
×
от 15 шт. — 39 руб.
|
|
304 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 115
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 304 шт. |
77 руб.
×
от 15 шт. — 62 руб.
|
|
602 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 36
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 602 шт. |
44 руб.
×
от 15 шт. — 33 руб.
|
|
408 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 408 шт. |
48 руб.
×
от 15 шт. — 33 руб.
|
|
296 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 296 шт. |
57 руб.
×
от 15 шт. — 50 руб.
|
|
124 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 124 шт. |
62 руб.
×
от 15 шт. — 48 руб.
|
|
219 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 219 шт. |
41 руб.
×
от 15 шт. — 33 руб.
|
|
621 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 621 шт. |
52 руб.
×
от 15 шт. — 46 руб.
|
|
168 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 40
Корпус: to-126
|
быстрый просмотр | 168 шт. |
62 руб.
×
от 15 шт. — 58 руб.
|
|
1562 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 90
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 1562 шт. |
140 руб.
×
от 15 шт. — 132 руб.
|
|
295 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 90
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 295 шт. |
200 руб.
×
от 15 шт. — 189 руб.
|
|
2586 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 2586 шт. |
160 руб.
×
от 15 шт. — 156 руб.
|
|
532 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 532 шт. |
130 руб.
×
от 103 шт. — 120 руб.
|
|
429 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 70
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 429 шт. |
66 руб.
×
от 15 шт. — 65 руб.
|
|
459 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 70
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 459 шт. |
77 руб.
×
от 15 шт. — 73 руб.
|
|
309 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 60
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 309 шт. |
91 руб.
×
от 15 шт. — 83 руб.
|