Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	30 руб. × от 100 шт. — 9 руб.
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Крутизна характеристики, S: 0.32 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	24 руб. × от 100 шт. — 22 руб.
BUZ11-NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	160 руб. × от 15 шт. — 131 руб.
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	890 руб. × от 15 шт. — 848 руб.
FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 070 руб. × от 15 шт. — 1 020 руб.
FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/23.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 417 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 560 руб. ×
FCP13N60N, Транзистор, N-канал 600В 13А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.258 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 116 Крутизна характеристики, S: 16.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	610 руб. × от 10 шт. — 543 руб.
FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 134 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 040 руб. × от 15 шт. — 982 руб.
FCP22N60N, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: to-220	быстрый просмотр	730 руб. × от 15 шт. — 680 руб.
FCPF11N60NT, Транзистор, N-канал 600В 10.8А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/5.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	480 руб. × от 15 шт. — 434 руб.
FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35.7 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	670 руб. × от 15 шт. — 623 руб.
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.26 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 388 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	580 руб. × от 15 шт. — 522 руб.
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/11.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235 Крутизна характеристики, S: 29 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	670 руб. × от 15 шт. — 612 руб.
FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	570 руб. × от 15 шт. — 495 руб.
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	680 руб. × от 15 шт. — 621 руб.
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 020 руб. × от 15 шт. — 980 руб.
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	540 руб. × от 15 шт. — 462 руб.
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	370 руб. × от 15 шт. — 315 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	610 руб. × от 15 шт. — 597 руб.
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.041 Ом/34.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 480 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	600 руб. × от 15 шт. — 537 руб.