Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.2

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6 Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6	быстрый просмотр	100 руб. × от 25 шт. — 89 руб.
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Крутизна характеристики, S: 53 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	210 руб. × от 15 шт. — 175 руб.
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр	51 руб. × от 100 шт. — 49 руб.
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.125 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр	58 руб. × от 100 шт. — 52 руб.
FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 265 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 395 Крутизна характеристики, S: 200 Корпус: to-220	быстрый просмотр	890 руб. × от 15 шт. — 833 руб.
FDP032N08, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 75В, 235А, 3.2мОм [TO220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375 Крутизна характеристики, S: 180 Корпус: to-220	быстрый просмотр	720 руб. × от 50 шт. — 661 руб.
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3 Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 164 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 268 Крутизна характеристики, S: 150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	640 руб. × от 15 шт. — 604 руб.
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: to-220	быстрый просмотр	440 руб. × от 15 шт. — 389 руб.
FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	570 руб. × от 15 шт. — 498 руб.
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227 Корпус: to-220	быстрый просмотр	900 руб. × от 15 шт. — 869 руб.
FDP2532, Транзистор PowerTrench N-канал 150В 79А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/33А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310 Корпус: to-220	быстрый просмотр	450 руб. × от 15 шт. — 406 руб.
FDP3651U, Транзистор N-канал 100В 80А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/80А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255 Корпус: to-220	быстрый просмотр	560 руб. × от 15 шт. — 509 руб.
FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 320 Корпус: to-220	быстрый просмотр	520 руб. × от 15 шт. — 505 руб.
FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/26А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357 Корпус: to-220	быстрый просмотр	330 руб. × от 15 шт. — 260 руб.
FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр	150 руб. × от 15 шт. — 121 руб.
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	510 руб. × от 15 шт. — 452 руб.
FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.65 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	330 руб. × от 15 шт. — 290 руб.
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	410 руб. × от 15 шт. — 351 руб.
FDPF33N25T, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 33А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.094 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	370 руб. × от 15 шт. — 323 руб.
FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А, 2.5Ом (=SSS4N60B), [TO-220FP] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	240 руб. × от 15 шт. — 191 руб.