Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Toshiba

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Toshiba, стр.2

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SK3797, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 13А [SC-67 / 2-10U1B] 178 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	178 шт.	240 руб. ×
2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P] 828 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	828 шт.	450 руб. ×
TK10A60D(STA4.X.M), Транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А, 45 Вт, [TO-220F] 134 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	134 шт.	250 руб. ×
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS] 162 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	162 шт.	220 руб. ×
TK15A50D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 500В 15А TO-220SIS 99 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/7.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	99 шт.	200 руб. ×
TK15J50D(F), Транзистор, TT-MOSVII, N-канал, 500В, 15А [SC-65 / 2-16C1B] 210 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.33 Ом/7.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 210 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: 2-16C1B/SC-65	быстрый просмотр	210 шт.	790 руб. ×
TK39N60W,S1VF(S, Транзистор N-MOSFET 600В 38.8A TO-247 253 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/19.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	253 шт.	1 090 руб. ×
TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS] 120 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.11 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	120 шт.	220 руб. ×
2SK1117, Транзистор, N-канал, [TO-220AB] [EOL] 12 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: TO-220AB/SC-46/2-10P1B	быстрый просмотр	12 шт.	250 руб. ×
2SK1358, Транзистор, N-канал [TO-3P] [EOL] 44 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	44 шт.	650 руб. ×
2SK2039, Транзистор, N-канал [TO-3P] 5 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 3 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	5 шт.	200 руб. ×
2SK2232, Транзистор, L2-TT-MOSV, N-канал, 60В, 25А [SC-67 / 2-10R1B] 9 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.046 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	9 шт.	240 руб. ×
2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P] 53 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	53 шт.	580 руб. ×
2SK2611(F,T), Транзистор, N-канал [TO-3P] 3 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	3 шт.	1 010 руб. ×
2SK2718, Транзистор, N-канал [TO-220F] [EOL] 4 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.4 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	4 шт.	220 руб. ×
2SK2996, Транзистор, N-канал, высоковольтные ключи [TO-220F] 87 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	87 шт.	290 руб. ×
2SK3067, N-канальный MOSFET транзистор 6 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4200 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Крутизна характеристики, S: 1.7 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	6 шт.	90 руб. ×
2SK3568, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 500В, 12А [SC-67 / 2-10U1B] 5 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	5 шт.	260 руб. ×
TPH7R506NH,L1Q, Транзистор N-MOSFET 60В 22A [SOP Advance-8 (5x5)] 5 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	5 шт.	280 руб. ×
2SK2267 31 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	31 шт.	1 200 руб. ×