Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

34 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
AO4826, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.3А 4Вт [SOP-8]
1566 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/4.5A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1566 шт.
23 руб. ×
от 50 шт. — 20 руб.
AO4832, Транзистор N-MOSFET 30В 10А 2Вт [SOP-8]
3230 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0108 Ом/10A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 43
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3230 шт.
17 руб. ×
от 50 шт. — 15 руб.
AO4884, Транзистор 2N-MOSFET 40В 10А 2Вт [SOP-8]
1263 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/10A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 50
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1263 шт.
21 руб. ×
от 50 шт. — 19 руб.
AO6800, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 1.14Вт [SOT23-6]
1684 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/3.4A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.14
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
1684 шт.
11 руб. ×
от 50 шт. — 10 руб.
IRF7301TR, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5.2А 2Вт [SOP-8]
5394 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5394 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
5179 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5179 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8]
5442 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5442 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
3394 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3394 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
2473 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2473 шт.
45 руб. ×
от 50 шт. — 41 руб.
2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]
Бренд: MCC
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.05А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Корпус: SOT-363
быстрый просмотр
71 руб. ×
от 100 шт. — 46 руб.
AO4822A, Транзистор 2N-MOSFET 30В 8А SOIC-8-0.154
Бренд: Alpha & Omega
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 3 шт. — 110 руб.
AO4828, Транзистор, 2 N-каннала, 60В, 4.5А, 0.056Ом [SO-8]
Бренд: Alpha & Omega
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 104 руб.
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Корпус: SOT-143
быстрый просмотр
45 руб. ×
от 50 шт. — 41 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 74 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
896 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
896 шт.
50 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
2449 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2449 шт.
60 руб. ×
от 15 шт. — 54 руб.
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Бренд: IR
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
66 руб. ×
от 50 шт. — 56 руб.
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
81 руб. ×
от 50 шт. — 72 руб.
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
90 руб. ×
от 25 шт. — 72 руб.
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 25 шт. — 89 руб.
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60