Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{46 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SK1358, Транзистор N-MOSFET 900В 9А 150Вт [TO-3PN] 120 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	120 шт.	540 руб. × от 15 шт. — 503 руб.
2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220] 130 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.3 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 2.6 Корпус: to-220	быстрый просмотр	130 шт.	660 руб. × от 15 шт. — 619 руб.
2SK2717, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220F] 139 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.4 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	139 шт.	250 руб. ×
2SK2847, Транзистор, N-канал, DC/DC конверторы, драйверы электродвигателей [TO-3P] 27 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: 2-16F1B	быстрый просмотр	27 шт.	450 руб. ×
2SK2850, Транзистор, N-канал [TO-3P] 60 шт. Бренд: Fuji Electric Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	60 шт.	400 руб. × от 15 шт. — 359 руб.
2SK3564(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 3А [SC-67 / 2-10U1B] 108 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.3 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 2.6 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	108 шт.	240 руб. ×
2SK3565(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B] 132 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.2 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	132 шт.	240 руб. ×
2SK3878(STA1,E,S), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P] 801 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 7 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	801 шт.	450 руб. ×
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 100 руб. × от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		620 руб. × от 15 шт. — 556 руб.
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. × от 15 шт. — 186 руб.
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. × от 15 шт. — 294 руб.
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		240 руб. × от 15 шт. — 204 руб.
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. × от 15 шт. — 216 руб.
IRFBF30PBF, Транзистор, N-канал 900В 3.6А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.7 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		260 руб. × от 15 шт. — 194 руб.
IRFPF40PBF, Транзистор, N-канал 900В 4.7А [TO-247AC] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		610 руб. × от 540 шт. — 567 руб.
IRFPF50PBF, Транзистор, N-канал 900В 6.7А [TO-247AC] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		500 руб. × от 10 шт. — 465 руб.
IXFN56N90P, Транзистор, Polar HiPerFET, N-канал, 56А, 900В, 0.145Ом, [SOT-227] Бренд: Ixys Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 56 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.135 Ом/28А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1000 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: SOT-227	быстрый просмотр		7 980 руб. × от 2 шт. — 7 350 руб.
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK] 866 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	866 шт.	170 руб. × от 15 шт. — 153 руб.
STD3NK90ZT4, Транзистор N-MOSFET 900В 4А 75Вт [D-PAK] 375 шт. Бренд: Tokmas Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 4.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	375 шт.	160 руб. × от 15 шт. — 144 руб.