Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{18 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] 2188 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	2188 шт.	54 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
FDP3651U, Транзистор N-канал 100В 80А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/80А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255 Корпус: to-220	быстрый просмотр		560 руб. ×	от 15 шт. — 509 руб.
IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/80А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр		620 руб. ×	от 15 шт. — 572 руб.
IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/45А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		360 руб. ×	от 15 шт. — 316 руб.
IRFB3607PBF, Транзистор, N-канал 75В 80А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/46А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 15 шт. — 107 руб.
IRFR3607TRPBF, Транзистор, N-канал 75В 80А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/46А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 115 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 279 руб.
IRFS3607TRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 80А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/46А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 170 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 15 шт. — 136 руб.
STP140NF55, Транзистор MOSFET N-канал 55В 80А [TO-220] 111 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр	111 шт.	240 руб. ×	от 15 шт. — 196 руб.
STP75NF75, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 75В, 0.0095Ом, 80А [TO-220AB] 410 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр	410 шт.	280 руб. ×	от 15 шт. — 244 руб.
STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220] 84 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр	84 шт.	230 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом, 80A [TO-220AB] 295 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 120 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: to-220	быстрый просмотр	295 шт.	490 руб. ×	от 15 шт. — 437 руб.
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220] 99 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	99 шт.	450 руб. ×	от 15 шт. — 377 руб.
Транзистор 60F5DPK, тип N, 260 Вт, корпус TO-3P 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	3 шт.	2 810 руб. ×
Транзистор 80N25, тип N, 540 Вт, корпус TO-264 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 540 Крутизна характеристики, S: 56 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	3 шт.	4 220 руб. ×
Транзистор 80N28T, тип N, 500 Вт, корпус TO-3P 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 280 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500 Крутизна характеристики, S: 52 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	3 шт.	4 220 руб. ×
Транзистор 80NF12, тип N, 300 Вт, корпус TO-220 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 120 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 шт.	680 руб. ×
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142 Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 10 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Корпус: d2pak	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 20 шт. — 74 руб. от 80 шт. — 70 руб. от 140 шт. — 67.28 руб.
IRFU3607PBF, Nкан 75В 80А I-Pak Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/46А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 170 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 5 шт. — 61 руб.