Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{14 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO6400, Транзистор N-MOSFET 30В 6А 1.3Вт [SOT-23-6] 2337 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 26 мОм/5.5A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	2337 шт.	11 руб. ×	от 100 шт. — 10 руб.
FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET 30В 8.8А 2.5Вт [SOP-8] 2994 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 16 мОм/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2994 шт.	43 руб. ×	от 100 шт. — 38 руб.
STN4438, Транзистор N-MOSFET 60В 8.2А [SOP-8] 1398 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1398 шт.	17 руб. ×	от 100 шт. — 15 руб.
FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 50 шт. — 108 руб.
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: to-220	быстрый просмотр		200 руб. ×	от 15 шт. — 160 руб.
IRFB4020PBF, Транзистор, Digital Audio MOSFET, N-канал, 200В, 18А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 238 руб.
IRFZ44VPBF, Транзистор N-канал 60В 55А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 55 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0165 Ом/31А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 120 руб.
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3] 1261 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	1261 шт.	24 руб. ×	от 100 шт. — 18 руб.
SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/15.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 240 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		1 070 руб. ×	от 15 шт. — 1 040 руб.
FDMC8884, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.9 В [MLP-3.3x3.3] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 18 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: MLP-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр		69 руб. ×	от 15 шт. — 60 руб.
AO6400(UMW) 7-9 недель, 26980 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 26 мОм/5.5A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	7-9 недель, 26980 шт.	18 руб. ×	от 50 шт. — 14 руб. от 150 шт. — 12 руб. от 500 шт. — 10.39 руб.
Транзистор AO4466, тип N, 3 Вт, корпус SO-8 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: so-8	быстрый просмотр	1 шт.	260 руб. ×
Транзистор IRF8910, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 9 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: so-8	быстрый просмотр	9 шт.	310 руб. ×
FDS4435BZ(UMW) 7-9 недель, 2995 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 16 мОм/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8		7-9 недель, 2995 шт.	29 руб. ×	от 50 шт. — 23 руб. от 150 шт. — 20 руб. от 500 шт. — 16.54 руб.