Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

11 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRF7316TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
2187 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2187 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRLR3410TR, Транзистор N-MOSFET 100В 17A 79Вт [D-PAK]
1855 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/17A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
1855 шт.
38 руб. ×
от 100 шт. — 34 руб.
AUIRLR3410, Транзистор, Auto Q101 Nкан 100В 17А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 15 шт. — 298 руб.
IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
140 руб. ×
от 25 шт. — 98 руб.
IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 25 шт. — 176 руб.
IRL530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А, [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
260 руб. ×
от 15 шт. — 239 руб.
IRL530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 17А [D2-PAK] (=IRL530NSPBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 ом при 9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 15 шт. — 143 руб.
IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
170 руб. ×
от 15 шт. — 92 руб.
STP10NK70ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A [TO-220FP]
156 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
156 шт.
220 руб. ×
от 15 шт. — 179 руб.
STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB]
113 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: to-220
быстрый просмотр
113 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 151 руб.
STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP]
194 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
194 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 96 руб.