Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

_{37 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB] 111 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: to-220	быстрый просмотр	111 шт.	480 руб. ×	от 15 шт. — 437 руб.
STW20NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 0.23Ом, 20А [TO-247] 221 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	221 шт.	350 руб. ×	от 15 шт. — 330 руб.
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247] 172 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	172 шт.	580 руб. ×	от 15 шт. — 524 руб.
STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247] 278 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	278 шт.	480 руб. ×	от 15 шт. — 425 руб.
КП303Е никель, Транзистор, N-канал [КТ-112] 403 шт. Бренд: Россия Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: kt-112	быстрый просмотр	403 шт.	86 руб. ×	от 15 шт. — 66 руб.
APM4015PUC-TRG, Транзистор, P-канальный, 40 В, 45 А, 50 Вт, [TO-252] 58 шт. Бренд: Anpec Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	58 шт.	170 руб. ×	от 15 шт. — 144 руб.
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 39 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 25 шт. — 130 руб.
NTD20N06LT4G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 20А [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.048 Ом/10А, 5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 174 руб.
AO4443 7-9 недель, 950 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 35 мОм/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37.5 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 950 шт.	21 руб. ×	от 30 шт. — 19 руб. от 100 шт. — 18 руб. от 500 шт. — 15.65 руб.
IRF9310TR 7-9 недель, 16959 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.9 мОм/20A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 39 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	7-9 недель, 16959 шт.	110 руб. ×	от 10 шт. — 86 руб. от 30 шт. — 75 руб. от 100 шт. — 64.19 руб.
STD15NF10L 7-9 недель, 9317 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 65 мОм/20A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 34.7 Крутизна характеристики, S: 28.7 Корпус: dpak	быстрый просмотр	7-9 недель, 9317 шт.	70 руб. ×	от 10 шт. — 55 руб. от 30 шт. — 48 руб. от 100 шт. — 39.33 руб.
IRFP460APBF, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC] 95 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	95 шт.	620 руб. ×
IRFI540NPBF, TO-220AB, полевой транзистор, N-канальный, 55В 104A, 200Вт Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54 Корпус: TO220FP-3	быстрый просмотр		220 руб. ×
IRF3717PBF, Транзистор N-канал 20В 20А [SO-8] [EOL] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 57 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		65 руб. ×	от 10 шт. — 57 руб.
IRF9310PBF, Транзистор, P-канал 30В 20А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 39 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		44 руб. ×
IRFHM4234TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 25В 20А 4.4мОм, [PQFN-3.3x3.3] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Крутизна характеристики, S: 60 Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр		52 руб. ×	от 5 шт. — 46 руб.
IRLR9343TR(UMW) 7-9 недель, 2495 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 93 мОм/3.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: dpak		7-9 недель, 2495 шт.	80 руб. ×	от 10 шт. — 62 руб. от 30 шт. — 54 руб. от 100 шт. — 44.26 руб.