Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{19 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN] 158 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	158 шт.	260 руб. ×	от 100 шт. — 227 руб.
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 310 руб.
FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: to-220	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
IRFB4332PBF, Транзистор, N-канал 250В 60А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.033 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 390 Крутизна характеристики, S: 100 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		600 руб. ×	от 15 шт. — 530 руб.
IRFB52N15DPBF, Транзистор, N-канал 150В 60А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.032 Ом/36А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 320 Крутизна характеристики, S: 19 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 15 шт. — 319 руб.
IRLR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/36А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 15 шт. — 131 руб.
STB60NF06, Транзистор N-MOSFET 60В 60А [D2PAK] 216 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	216 шт.	210 руб. ×	от 100 шт. — 182 руб.
STP60NF06, Транзистор MOSFET N-CH 60В 60А [TO-220] 351 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	351 шт.	130 руб. ×	от 15 шт. — 111 руб.
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB] 1723 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1723 шт.	130 руб. ×	от 15 шт. — 119 руб.
STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB] 610 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	610 шт.	280 руб. ×	от 15 шт. — 234 руб.
2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P] 52 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: SC-65/2-16C1B	быстрый просмотр	52 шт.	580 руб. ×
STD60NF06T4, Транзистор MOSFET N-канал 60В 60А [TO-252] 1 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1 шт.	200 руб. ×	от 10 шт. — 190 руб.
Транзистор 35N60BD1, тип N, 250/80 Вт, корпус TO-247AD 3-4 дня, 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250/80 Корпус: TO-247AD	быстрый просмотр	3-4 дня, 3 шт.	4 640 руб. ×
Транзистор 60N100BNTD, тип N, 180 Вт, корпус TO-264 3-4 дня, 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1000 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 180 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	3-4 дня, 3 шт.	2 480 руб. ×
Транзистор 60NF06T4, тип N, 110 Вт, корпус D2PAK 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	520 руб. ×
Транзистор 60NM50, тип N, 560 Вт, корпус TO-247 3-4 дня, 2 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 560 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	3-4 дня, 2 шт.	6 490 руб. ×
HKTQ30P03, P-канальный MOSFET, -30В, -60А, 32мВт (PDFN3333) 4-5 дней, 4890 шт. Бренд: Hottech Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Корпус: PDFN3333	быстрый просмотр	4-5 дней, 4890 шт.	38 руб. ×	от 360 шт. — 13 руб. от 1410 шт. — 12 руб. от 2460 шт. — 11.23 руб.
IRFB4332PBF; TO220, транзистор, Infeon 5-6 дней, 150 шт. Бренд: Infeon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.033 Ом/35А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 390 Крутизна характеристики, S: 100 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	5-6 дней, 150 шт.	350 руб. ×
IRLR2905ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 60А, [D-PAK] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/36А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		210 руб. ×