Микросхемы памяти EEPROM ST Microelectronics 69 из 295

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже Наличие
Производители
Тип организации памяти
Напряжение питания, В
Интерфейс
Время доступа, нс
Тип корпуса
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Казань
Калуга
Краснодар
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Рязань
Самара
Симферополь
Тверь
Тула
Уфа
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
M24512-RMN6P, Энергонезависимая память [SO8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 512
Напряжение питания, В: 1.8…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 120
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
34
от 50 шт. — 30
от 500 шт. — 29
M24C02-WMN6P, Энергонезависимая память [SO8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 2k x 8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 300
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
7
от 100 шт. — 6
от 300 шт. — 3.81
M24C02-WMN6TP, Энергонезависимая память [SO-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 256x8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 200
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
24
от 20 шт. — 18
от 200 шт. — 16
M24C08-WBN6P, Энергонезависимая память [DIP-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 1024x8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 200
Тип корпуса: dip8
Добавить к сравнению
Со склада
18
от 15 шт. — 14
от 150 шт. — 12.80
M24C64-WMN6TP, Энергонезависимая память, 64 кбит [SO-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 64
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 300
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
9
от 100 шт. — 7
от 1000 шт. — 6.70
M93C46-WMN6TP, Энергонезависимая память [SO-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
Со склада
12
от 75 шт. — 9
от 750 шт. — 8.20
Добавить к сравнению
Со склада
10
от 100 шт. — 9
от 1000 шт. — 8.50
M93C66-WMN6TP, Энергонезависимая память, 4 Кбит, 2MHz [SO-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 512x8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 250
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
15
от 50 шт. — 12
от 500 шт. — 11
Добавить к сравнению
Со склада
27
от 100 шт. — 14
от 1000 шт. — 13.50
M93C86-WMN6P, Энергонезависимая память [SO8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 2048x16/1024x8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 50
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
23
от 50 шт. — 18
от 100 шт. — 9.98
Добавить к сравнению
Со склада
33
от 5 шт. — 26
от 50 шт. — 24
Добавить к сравнению
Со склада
47
от 5 шт. — 36
от 50 шт. — 34
Добавить к сравнению
Со склада
18
от 50 шт. — 14
от 100 шт. — 11
M95080-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8Кбит, 10МГц [SO-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 1024x8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 200
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
23
от 50 шт. — 15
от 250 шт. — 8.40
Добавить к сравнению
Со склада
48
от 5 шт. — 35
от 25 шт. — 28
Добавить к сравнению
Со склада
30
от 5 шт. — 25
от 50 шт. — 23
Добавить к сравнению
Со склада
32
от 10 шт. — 25
от 100 шт. — 24.50
Добавить к сравнению
Со склада
28
от 5 шт. — 21
от 50 шт. — 19
M24128-BWMN6TP, Память Serial-I2C EEPROM, 128КБИТ, 2МГц [SO8]
По запросу
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
По запросу
28
от 40 шт. — 20
от 400 шт. — 17.20
M24C04-WMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 4KBIT 400KHZ [SO-8]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Тип организации памяти: 512x8
Напряжение питания, В: 2.5…5.5
Интерфейс: последовательный
Время доступа, нс: 200
Тип корпуса: so8
Добавить к сравнению
Со склада
7
от 100 шт. — 6
от 1000 шт. — 5.50
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая