Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 58 руб. × |
от 15 шт. — 48 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 120 руб. × |
от 15 шт. — 96 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 72 руб. × |
от 15 шт. — 60 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 180 руб. × |
от 15 шт. — 108 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 85 руб. × |
от 15 шт. — 75 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 180 руб. × |
от 15 шт. — 165 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 170 руб. × |
от 15 шт. — 128 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 98 руб. × |
от 15 шт. — 83 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.065
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: ±5…15
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 260 руб. × |
от 15 шт. — 215 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 2000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 190 руб. × |
от 15 шт. — 172 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 77 руб. × |
от 15 шт. — 69 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 1
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 58 руб. × |
от 15 шт. — 49 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 120 руб. × |
от 15 шт. — 100 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 55 руб. × |
от 15 шт. — 50 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: -40…+85
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 150 руб. × |
от 20 шт. — 112 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 73 руб. × |
от 15 шт. — 65 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Тип усилителя: С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
Кол-во каналов: 4
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 13
Частота единичного усиления, МГц: 3
Токовое смещение на входе, нА: 0.03
Напряжение смещения на входе, мкВ: 3000
Ток собственного потребления, мА: 1.4
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +7…36, ±3.5…18
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 130 руб. × |
от 15 шт. — 91 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 4
Тип выхода: Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 3.6
Частота единичного усиления, МГц: 2.25
Токовое смещение на входе, нА: 0.001
Напряжение смещения на входе, мкВ: 300
Ток собственного потребления, мА: 4.8
Выходной ток на канал, мА: 50
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +4.4…16, ±2.2…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 580 руб. × |
от 5 шт. — 528 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 5.3
Частота единичного усиления, МГц: 2.2
Токовое смещение на входе, нА: 0.0007
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1100
Ток собственного потребления, мА: 1.9
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +3…16, ±1.5…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 5 шт. — 180 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Серия: LinCMOS
Тип усилителя: Общего применения
Кол-во каналов: 2
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс: 5.3
Частота единичного усиления, МГц: 2.2
Токовое смещение на входе, нА: 0.0007
Напряжение смещения на входе, мкВ: 1100
Ток собственного потребления, мА: 1.9
Выходной ток на канал, мА: 30
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В: +3…16, ±1.5…8
Рабочая температура, °C: 0…+70
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 320 руб. × |
от 5 шт. — 234 руб.
|