Источники опорного напряжения ON Semiconductor

ПоследовательныйПоследовательный, ШунтовойШунтовой₅

ПрограммируемыйРегулируемый₃Фиксированный₂

1.225 В1.235 В₁1.24…30 В1.24…6 В2.048 В2.49 В2.495 V to 36 V2.495…36 В₃2.495…37 В2.495…40 В±2.5 В, ±3 В2.5 V2.5 В₁2.5 В, 5 В, 7.5 В, 10 В2.5±0, 1%В2.5…36 В3 V3 В3.3 В4.096 В5 V5 В10 В36 V(регулируемое)-2.495…36(max)ВAdjustableрегулируемое-1.24…6В

2 мА5 мА5 мА(max)8 мА10 мА15 мА15(max)мА20 мА₂25 мА30 мА100 мА₃ток через шунт-5 мА(max)через шунт-0.6…100(max)мАчерез шунт-не более 15 мА

±0.04 %±0.04 %, ±0.03 %±0.04%, ±0.03%±0.05 %±0.08 %±0.1 %±0.12 %±0.2 %±0.2 %, ±0.17 %±0.24 %±0.24%±0.3 %±0.33 %±0.4 %±0.4%±0.48 %±0.5 %±0.6 %±0.82 %±1 %₂±1%1%±1.5 %±2 %±2%±2.2 %₂±2.21 %±3 %₁±4 %регулирования напряжения-1%

2.4…18 В2.55…5.5 В2.7…12(max)В2.7…5.5 в2.8…15(max)В2.8…18 В3…15 В3…18 В3.05…5.5 В3.3…15 В3.35…5.5 В3.5…15 В4…36 В4.3…12 В4.5…15 В4.5…18 В4.5…30 В4.5…33 В4.5…36 В5.1…15В7 V to 30 V7…36 В7…40 В7В12…36 В12…40 В13.5…36 В18 В200 мВ…12 В(max)-37(серия VREF)В11.4...36 Вcерия VREF-2.5(max)В

-55…+125-45…+85 C (TA)-40…+105 C (TA)-40…+125 C (TA)-40…+125 C(TA)-40…+85 C (TA)₂-40…+85 C(TA)-25…+85 C (TA)0…+70 C (TA)₃