Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics

335 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Технология/семейство
сбросить
Наличие встроенного диода
сбросить
Максимальное напряжение КЭ ,В
сбросить
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
сбросить
Импульсный ток коллектора (Icm), А
сбросить
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
сбросить
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
сбросить
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
сбросить
Рабочая температура (Tj), °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
184 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
184 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 209 руб.
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]
50 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 9
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
50 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 324 руб.
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP]
314 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
314 шт.
370 руб. ×
от 15 шт. — 323 руб.
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
696 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
696 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 275 руб.
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
306 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
306 шт.
540 руб. ×
от 15 шт. — 478 руб.
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220]
606 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
606 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 165 руб.
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
381 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
381 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 280 руб.
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
256 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
256 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 138 руб.
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
61 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
61 шт.
910 руб. ×
от 15 шт. — 850 руб.
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]
182 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
182 шт.
570 руб. ×
от 15 шт. — 505 руб.
STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]
104 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
104 шт.
480 руб. ×
от 15 шт. — 468 руб.
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
219 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
219 шт.
810 руб. ×
от 15 шт. — 677 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
159 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
159 шт.
450 руб. ×
от 15 шт. — 402 руб.
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
252 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
252 шт.
790 руб. ×
от 10 шт. — 747 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
167 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: Trench and Fieldstop
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
167 шт.
1 400 руб. ×
от 15 шт. — 1 380 руб.
быстрый просмотр
4 шт.
160 руб. ×
от 5 шт. — 136 руб.
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220]
1 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Технология/семейство: PowerMESH
Наличие встроенного диода: Да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 225 руб.
быстрый просмотр
6 шт.
810 руб. ×
STGB10NB37LZT4, IGBT транзистор 10А 440В D2PAK-3
250 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Максимальное напряжение КЭ ,В: 440
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
250 шт.
680 руб. ×
от 10 шт. — 580 руб.
от 40 шт. — 528 руб.
от 70 шт. — 519.52 руб.
STGB10NB37LZT4, Транзистор
16 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
16 шт.
650 руб. ×
от 10 шт. — 630 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60