Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Toshiba

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba

_{22 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)] 69 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	69 шт.	1 900 руб. ×
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C] 37 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	37 шт.	1 320 руб. ×
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] 4485 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6.5 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	4485 шт.	240 руб. ×
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] 95 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21F2C	быстрый просмотр	95 шт.	890 руб. ×
GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	1 шт.	410 руб. ×
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] 7 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	7 дней, 1 шт.	280 руб. ×
GT15J341, Транзистор IGBT, 600В, 15А, 30Вт, TO220FP 7 недель, 340 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 340 шт.	580 руб. ×
GT20J341, GT20J341 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-220SIS, Through Hole 7 недель, 166 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 166 шт.	970 руб. ×
GT30J121(Q), IGBT Transistors 600V/30A DIS 7-9 недель, 45 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 45 шт.	1 000 руб. ×
GT30J121, GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole 7 недель, 70 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 70 шт.	1 510 руб. ×
GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN 7 недель, 70 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 70 шт.	1 020 руб. ×
GT30J122A(STA1,E,D, TO-3PN IGBTs 7 недель, 299 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 299 шт.	550 руб. ×
GT40QR21(STA1,E,D, IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A 7-9 недель, 120 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 120 шт.	1 090 руб. ×
GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN 7 недель, 43 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 43 шт.	1 090 руб. ×
GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN 7 недель, 91 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 91 шт.	3 690 руб. ×
GT50JR21(STA1,E,S), IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ 7-9 недель, 50 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 50 шт.	1 440 руб. ×
GT50N322A, IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V 7-9 недель, 180 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 180 шт.	1 440 руб. ×
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-16F1A	быстрый просмотр	По запросу	600 руб. ×
GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] По запросу Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	По запросу	330 руб. ×
GT45G122 11-13 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba		11-13 дней, 1 шт.	520 руб. ×