Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) Toshiba, стр.2

_{27 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] По запросу Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	По запросу	330 руб. ×
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	По запросу	280 руб. ×
GT45G122 11-13 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba		11-13 дней, 1 шт.	520 руб. ×
GT30N135SRA,S1E, IGBT Transistors 1350V DISCRETE IGBT TRANS 7-9 недель, 3923 шт. Бренд: Toshiba		7-9 недель, 3923 шт.	1 130 руб. ×
GT50JR22(S1WLD,E,S 7-9 недель, 930 шт. Бренд: Toshiba		7-9 недель, 930 шт.	150 руб. ×
GT50JR22(S1WLD,E,S) 7-9 недель, 40 шт. Бренд: Toshiba		7-9 недель, 40 шт.	320 руб. ×
GT50JR22(S1WLD,E,S), TO-3P-3 IGBTs 7 недель, 6 шт. Бренд: Toshiba		7 недель, 6 шт.	570 руб. ×