MOSFET от IR до 30В 100 А в корпусе PQFN 5x6mm

Опубликовано 21.01.2011 Ведущий Виталий Дудкин

International Rectifier, лидер в производстве силовых полупроводниковых приборов, представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии.
Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм ...