Логические элементы на МЕП-транзисторах
Опубликовано 18.03.2011
Ведущий Валерий Харыбин
Полевые транзисторы МЕП-типа имеют структуру «металл-полупроводник», их строят на основе арсенида галлия.
В сравнении с германием арсенид галлия имеет следующие преимущества: более высокую подвижность электронов в слабых электрических полях; почти в полтора раза шире запрещенную зону, которая обеспечивает высокое удельное сопротивление подкладки ...
Группы, упомянутые в ролике