Импульсные трансформаторы серии В82804 от EPCOS

15.11.2016
Импульсные трансформаторы серии В82804 от EPCOS

Ассортимент компании  «ЧИП и ДИП»  пополнился  трансформаторами серии B82804* для гальванической развязки и управления затвором транзисторов.

Основу конструкции Gate Drive составляет сердечник конфигурации EP5, сравнительно малые размеры которого позволяют значительно сократить место на плате даже при использовании сразу нескольких трансформаторов. Подключение контуров для управления затвором МОП-транзистора осуществляется в диапазоне частот от 150 кГц до несколько мегагерц. У всех типов серии B82804A напряжение развязки составляет 1500 В. Выпускаемые Epcos элементы рассчитаны на окружающую температуру до 85°C и рабочую температуру до 125°C. Конфигурация и распайка выводов осуществляется в соответствии с установленными стандартами.Эти трансформаторы характеризуются не только улучшенными электрическими характеристиками, но и миниатюрными размерами (8.1мм x 6.7мм x 5,4мм).

К ключевым параметрам, на которые необходимо ориентироваться при выборе импульсных трансформаторов GDT можно отнести:

  • L – индуктивность, Гн;
  • U – напряжение развязки, В;
  • fрез – резонансная частота, Гц;
  • R(DC) – сопротивление первичной и вторичной обмоток, Ом;
  • Cоотношение числа витков.

Технические характеристики выпускаемых трансформаторов серии B82804A приведены в таблице. Несмотря на то, что довольно часто применение импульсных трансформаторов сопровождается проявлением паразитных параметров, таких как индуктивность рассеяния и собственная ёмкость изделия, разработанная компанией Epcos техника намотки, позволяет снизить их влияние. Так, например, значения паразитной ёмкости между обмотками в серии B82804A могут варьироваться в зависимости от выбранного компонента от 25 пФ до 95 пФ.

Основными  преимуществами  трансформаторов GDT фирмы Epcos серии B82804 являются  миниатюрные размеры, повышенная степень надёжности, высокая скорость переключения, простота эксплуатации Gate Drive Transformers (Epcos) при управлении затворами MOSFET в сравнении с оптическими драйверами, что позволяет реализовывать на практике высокоэффективные экономичные и конкурентоспособные устройства для силовой электроники и РЭА.

Технические характеристики трансформаторов GDT Epcos

L, мкГн Чертеж Соотношение числа витков R(DC)первич.,Ом R(DC)вторич.,Ом fрез., МГц Код заказа
300 Схема А 2,5:1:1 1,8 0,3 2,6 B82804A0304A225
317 Схема А 2:1:1 1,6 0,45 2 B82804A0324A220
264 Схема А 1:1:1 1,5 1,5 2,9 B82804A0264A210
350 Схема В 1:1 1 0,65 1,2 B82804A0354A110
690 Схема В 1:5:1 1,65 0,86 0,7 B82804A0694A115
473 Схема В 2:5:1 1,5 0,3 1,7 B82804A0474A125
Чертеж корпуса серии B82804