1ED3123MC12HXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона, IGBT, MOSFET, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов), WSOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
890 руб.
от 25 шт. —
798 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 970 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Gate Drivers
The Infineon 1ED3123 offers separate sink and source output, accurate and stable timing, active shutdown to ensure a safe IGBT off-state in case the output chip is not connected to the power, short-circuit clamping to limit the gate voltage during short circuit.
Технические параметры
| Fall Time | 30ns |
| Logic Type | CMOS |
| Output Current | 13.5 A |
| Package Type | PG-DSO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Supply Voltage | 3 → 15V |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 441 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
