1ED3123MU12HXUMA1, IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
840 руб.
от 25 шт. —
761 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 820 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
Igbt Driver, High Side, -40 To 125Deg C Rohs Compliant: Yes |Infineon 1ED3123MU12HXUMA1
Технические параметры
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 90нс |
Задержка по Входу | 90нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона |
Линейка Продукции | EiceDRIVER 1ED |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 15В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 3.1В |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |
Ток истока | 14А |
Ток стока | 14А |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 431 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем