1N5821 R0, Rectifier diode, R

PartNumber: 1N5821 R0
Ном. номер: 8037227506
Производитель: Taiwan Semiconductor
1N5821 R0, Rectifier diode, R
Доступно на заказ более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
23 × = 2 300
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.

Описание

Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Taiwan Semiconductor

Low power loss
Low foward voltage drop
High current capability

Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Выпрямительные диоды и диоды Шоттки /
Taiwan Semi 1N5821 R0, Schottky Diode, 30V 3A, 2-pin DO-201AD

Технические параметры

размеры
5.6 x 9.5 x 5.6mm
Diode Type
Schottky
высота
5.6mm
длина
9.5mm
Maximum Continuous Forward Current
3A
максимальная рабочая температура
+125 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
DO-201AD
Peak Forward Voltage
0.9V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
0.07kA
Peak Reverse Current
0.5mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Pin Count
2
ширина
5.6mm
Diode Configuration
Single

Дополнительная информация

1N5820 THRU 1N5822 3.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Data Sheet 1N5821 R0
1N5820 THRU 1N5822 3.0 AMPS. Schottky Barrier ...