1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4729 шт. со склада г.Москва
12 руб.
от 50 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 руб.
Номенклатурный номер: 9001106016
Артикул: 1N60G
PartNumber: UMW 1N60G
Описание
600V 1A 11¦¸@10V, 500mA 4V@250¦ÌA N Channel SOT-223 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5 Ом/0.5А, 10В | |
Крутизна характеристики, S | 0.5 | |
Корпус | SOT-223 | |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet UMW 1N60
pdf, 1531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.