Добавить к сравнению Сравнить ()

24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]

Артикул: 24LC02B-I/SN
Ном. номер: 53015
Производитель: Microchip
Фото 1/3 24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
Фото 2/3 24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]Фото 3/3 24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]
Есть в наличии более 400 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
11 × = 11
от 100 шт. — 8 руб.
от 500 шт. — 6.08 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The 24LC02B-I/SN is a 2Kbit serial I2C EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory) in 8 pin SOIC package. The device is organized as one block of 256 x 8bit memory with two wire serial interface. Low voltage design permits operation down to 1.7V with standby and active currents of only 1µA and 1mA respectively. The 24LC02B has a page write capability for up to 8bytes of data.

• Maximum clock frequency is 400KHz
• Supply voltage range from 2.5V to 5.5V
• Low power CMOS technology
• Schmitt trigger inputs for noise suppression
• Output slope control to eliminate ground bounce
• Page write time is typically 3ms
• Self timed erase/write cycle
• Hardware write protect
• More than 1 million erase/write cycles and greater than 200 years data retention
• Operating temperature range -40°C to 85°C

Технические параметры

Тип организации памяти
Напряжение питания, В
Время доступа, нс
Число циклов записи
10e6
Температурный диапазон, C
-40…85
Тип корпуса

Техническая документация

24LC02B Datasheet
pdf, 237 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 24LC02B-I/SN
Datasheet 24LC02B-I/SN
Типы корпусов импортных микросхем