2ED020I12-FI, Dual IGBT драйвер

Артикул: 2ED020I12-FI
Ном. номер: 9000081950
Производитель: Infineon Technologies
2ED020I12-FI, Dual IGBT драйвер
Доступно на заказ 875 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
660 × = 660
от 10 шт. — 469 руб.
от 100 шт. — 397 руб.


The 2ED020I12-FI is a 2-channel high voltage high speed power MOSPET and IGBT Driver with CT technology and interlocking high and low-side referenced outputs. The floating high-side driver may be supplied directly or by means of a bootstrap diode and capacitor. In addition to the logic input of each driver is equipped with a dedicated shutdown input. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. This driver is designed to drive an N-channel power IGBT which operate up to 1.2kV.

• Matched propagation delay
• High DV/DT immunity
• Low power consumption
• Floating high side driver
• Under-voltage lockout
• 3.3 and 5V TTL compatible inputs
• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
• Non-inverting inputs
• Interlocking inputs
• Dedicated shutdown input with pull-up

Код: 1854232

Технические параметры

Конфигурация Привода
Высокая Сторона
Пиковый Выходной Ток
Минимальное Напряжение Питания
Максимальное Напряжение Питания
Стиль Корпуса Привода
Количество Выводов
Задержка по Входу
Задержка Выхода
Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Разрезная Лента

Техническая документация

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet 2ED020I12-FI