2ED020I12-FI, Dual IGBT драйвер

Артикул: 2ED020I12-FI
Ном. номер: 9000081950
Производитель: Infineon Technologies
2ED020I12-FI, Dual IGBT драйвер
Доступно на заказ 875 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
660 × = 660
от 10 шт. — 469 руб.
от 100 шт. — 397 руб.

Описание

The 2ED020I12-FI is a 2-channel high voltage high speed power MOSPET and IGBT Driver with CT technology and interlocking high and low-side referenced outputs. The floating high-side driver may be supplied directly or by means of a bootstrap diode and capacitor. In addition to the logic input of each driver is equipped with a dedicated shutdown input. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. This driver is designed to drive an N-channel power IGBT which operate up to 1.2kV.

• Matched propagation delay
• High DV/DT immunity
• Low power consumption
• Floating high side driver
• Under-voltage lockout
• 3.3 and 5V TTL compatible inputs
• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
• Non-inverting inputs
• Interlocking inputs
• Dedicated shutdown input with pull-up

Код: 1854232

Технические параметры

Конфигурация Привода
Высокая Сторона
Пиковый Выходной Ток
Минимальное Напряжение Питания
14В
Максимальное Напряжение Питания
18В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
18вывод(-ов)
Задержка по Входу
85нс
Задержка Выхода
85нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Упаковка
Разрезная Лента

Техническая документация

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet 2ED020I12-FI