2ED2103S06FXUMA1, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, 8 вывод(-ов), SOIC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

310 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 10 шт. — 260 руб.

от 50 шт. — 231 руб.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 2 790 руб.

Номенклатурный номер: 8007928705

Артикул: 2ED2103S06FXUMA1

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов

The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.

Тип входа	Non-Inverting
IC Case / Package	SOIC
Задержка Выхода	90нс
Задержка по Входу	90нс
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Количество Каналов	2канал(-ов)
Конфигурация Привода	Полумост
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Напряжение Питания	20В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	10В
Стиль Корпуса Привода	SOIC
Тип переключателя питания	IGBT, MOSFET
Ток истока	290мА
Ток стока	700мА
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Fall Time	35ns
Logic Type	CMOS, LSTTL
Output Current	290 mA
Package Type	DSO
Pin Count	8
Supply Voltage	10 → 20V
Вес, г	0.12