2MBI200U4H-120-50, Dual IGBT Module, 1200V

PartNumber: 2MBI200U4H-120-50
Ном. номер: 8067153105
Производитель: Fuji Electric
2MBI200U4H-120-50, Dual IGBT Module, 1200V
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
Бесплатная доставка по городам Москва, Санкт-Петербург, Краснодар, Нижний Новгород
10 620 × = 10 620
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 9 780 руб.
от 5 шт. — 9 062 руб.

Описание

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
Fuji, 2MBi200U4H-120-50, IGBT Module, N-channel, Dual, 200 A max, 1200 V, 7-pin M249

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Dual, Emitter-Collector
размеры
108 x 62 x 30mm
высота
30mm
длина
108mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1040 W
тип монтажа
Screw
тип упаковки
M249
Pin Count
7
ширина
62mm

Дополнительная информация

Dual IGBT Module, 1200V