2N2102, TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1907 шт., срок 8-10 недель
680 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
372 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 720 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 65В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
Power Dissipation | 800мВт |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-39 |
Частота Перехода ft | 60МГц |
Вес, г | 1.134 |
Техническая документация
Datasheet 2N2102
pdf, 193 КБ
Чертеж
pdf, 560 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.