2N4401TF, Транзистор: NPN

Фото 1/3 2N4401TF, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.21 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8010486946
Артикул: 2N4401TF

Описание

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Maximum DC Collector Current 600 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 250 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 625 mW
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 750 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 250 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3 Kinked Lead
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: 2N4401
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet 2N4401TF
pdf, 653 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов