Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N4920G

2N4920G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

380 руб.

от 2 шт. — 290 руб.

от 5 шт. — 228 руб.

от 10 шт. — 204.12 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.

Номенклатурный номер: 8002981635

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:2NXXXX Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600mV; Device Marking:2N4920; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Voltage Vcbo:80V

Технические параметры

Category	Bipolar Power
Collector Current (DC)	1(A)
Collector Current (DC) (Max)	3 A
Collector-Base Voltage	80(V)
Collector-Emitter Voltage	80(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	40
DC Current Gain (Min)	40
Emitter-Base Voltage	5(V)
Frequency	3(MHz)
Frequency (Max)	3 MHz
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Package Type	TO-225
Packaging	Box
Pin Count	3+Tab
Power Dissipation	30(W)
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	PNP
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	PNP
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.3@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.6@0.1A@1A
Maximum DC Collector Current (A)	3
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100000
Minimum DC Current Gain	30@500mA@1V\|40@50mA@1V\|10@1A@1V
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Maximum Transition Frequency (MHz)	3(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Supplier Package	TO-225
Military	No
Package Height	11.04(Max)
Package Length	7.74(Max)
Package Width	2.66(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Pd - рассеивание мощности	30 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11.04 mm (Max)
Длина	7.74 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	40
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	3 MHz
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2N4920
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm (Max)
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Mounting Type	Through Hole
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.68