2N5088G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
158 руб.
от 100 шт. —
136.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100muA 5V 50nA ICBO 625mW 50MHz
Технические параметры
| Category | Bipolar Small Signal |
| Collector Current (DC) | 0.05(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 0.05 A |
| Collector-Base Voltage | 35(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 30(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 300 |
| DC Current Gain (Min) | 300 |
| Emitter-Base Voltage | 3(V) |
| Frequency | 50(MHz) |
| Frequency (Max) | 50 MHz |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-92 |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3 |
| Power Dissipation | 0.625(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.3 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
