2N5191G, Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
146 руб.
от 500 шт. —
105.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 40Вт, TO225 Характеристики
| Категория | Диод |
| Тип | тринисторы |
| Вид | тиристор |
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Collector Current (DC) | 4(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 4 A |
| Collector-Base Voltage | 60(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 60(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 25 |
| DC Current Gain (Min) | 25 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Frequency | 2(MHz) |
| Frequency (Max) | 2 MHz |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225 |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3+Tab |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V dc |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 139 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
