2N5551, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 МГц, 625 мВт, 600 мА, 80 hFE

PartNumber: 2N5551
Ном. номер: 8067850963
Производитель: Multicomp
2N5551, Биполярный транзистор, NPN, 160 В ...
Доступно на заказ 444 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
23 × = 23
от 100 шт. — 21 руб.
от 250 шт. — 16 руб.

Описание

The 2N5551 is a 160V NPN Bipolar Transistor capable of 625mW power dissipation and 600mA collector current.

• 180V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
• 200°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 1862543

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
160В
Частота Перехода ft
300МГц
Рассеиваемая Мощность
625мВт
DC Ток Коллектора
600мА
DC Усиление Тока hFE
80hFE
Стиль Корпуса Транзистора
TO-92
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet 2N5551