2N5886G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 80 В, 4 МГц, 200 Вт, 25 А, 4 hFE

PartNumber: 2N5886G
Ном. номер: 8070050678
Производитель: ON Semiconductor
2N5886G, Биполярный транзистор, ...
Доступно на заказ 124 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
430 × = 430
от 25 шт. — 290 руб.
от 100 шт. — 233 руб.

Описание

The 2N5886G is a 25A NPN high-power complementary Silicon Transistor designed for general-purpose power amplifier and switching applications.

• Low collector-emitter saturation voltage (1VDC maximum VCE(sat) @ 15A DC IC)
• Low leakage current (1mA DC maximum ICEX @ rated voltage)
• Excellent DC current gain (20 minimum hFE @ 10A DC IC)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Код: 9556087

Технические параметры

Полярность Транзистора
NPN
Напряжение Коллектор-Эмиттер
80В
Частота Перехода ft
4МГц
Рассеиваемая Мощность
200Вт
DC Ток Коллектора
25А
DC Усиление Тока hFE
4hFE
Стиль Корпуса Транзистора
TO-204AA
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
200°C
Линия Продукции
2NXXXX Series

Дополнительная информация

Datasheet 2N5886G