2N6075BG, Триак, 600 В, 4 А, TO-225, 5 мА, 2.5 В, 10 Вт

PartNumber: 2N6075BG
Ном. номер: 8113187666
Производитель: ON Semiconductor
2N6075BG, Триак, 600 В, 4 А, TO-225, 5 мА ...
Доступно на заказ 1309 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
39 × = 39
от 25 шт. — 35 руб.
от 100 шт. — 29 руб.

Описание

The 2N6075BG is a sensitive gate TRIAC designed primarily for full‐wave AC control applications or wherever full‐wave silicon gate controlled solid‐state device is needed. This silicon bidirectional thyristor switches from a blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive or negative gate triggering. The sensitive gate triggering uniquely compatible for direct coupling to TTL, HTL, CMOS and operational amplifier integrated circuit logic functions.

• 4 Mode gate triggering
• Blocking voltage to 600V
• All diffused and glass passivated junctions for greater parameter uniformity and stability
• Small, rugged, thermopad construction for low thermal resistance, high heat dissipation & durability

Полупроводники - Дискретные\Тиристоры\Симисторы (Триаки) - TRIAC
Код: 9557229

Технические параметры

Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm
600В
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)
Стиль Корпуса Симистора
TO-225
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt
5мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt
2.5В
Пиковая Мощность Затвора
10Вт
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц
30А
Максимальный Ток Удержания Ih
15мА
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
110°C

Дополнительная информация

Datasheet 2N6075BG