2N6507G, Тиристор, 400 В, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

PartNumber: 2N6507G
Ном. номер: 8041071300
Производитель: ON Semiconductor
2N6507G, Тиристор, 400 В, 40 мА, 16 А, 25 А ...
Доступно на заказ 179 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 110
от 25 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 77 руб.

Описание

The 2N6507G is a 3-pin reverse blocking Sensitive-gate TRIAC for half-wave AC control applications. The 2N6504 series thyristor has glass passivated junctions with centre gate fire for greater parameter uniformity and stability.

• Small, rugged and thermo pad construction for low thermal resistance
• High heat dissipation and durability
• 300A Surge current capability

Полупроводники - Дискретные\Тиристоры\Тиристоры - SCR
Код: 9557199

Технические параметры

Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm
400В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt
40мА
Средний Ток It
16А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)
25А
Стиль Корпуса Тиристора
TO-220AB
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц
250А
Максимальный Ток Удержания Ih
40мА
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt
1.5В
Максимальная Рабочая Температура
125°C

Дополнительная информация

Datasheet 2N6507G