2N6517TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 999 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Посмотреть аналоги3
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 350 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 350 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 Kinked Lead |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Part # Aliases: | 2N6517TA_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2N6517 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.59 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
