2N7000, Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 72 шт. —
18 руб.
от 143 шт. —
17 руб.
от 286 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 22 шт.
на сумму 484 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА
Технические параметры
Корпус | TO92-3 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 200 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 400 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-92 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Width | 4.19mm | |
Вес, г | 0.209 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов