2N7000, Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА

Фото 1/3 2N7000, Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 72 шт.18 руб.
от 143 шт.17 руб.
от 286 шт.16 руб.
Добавить в корзину 22 шт. на сумму 484 руб.
Номенклатурный номер: 8020330882
Артикул: 2N7000

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА

Технические параметры

Корпус TO92-3
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 200 mA
Maximum Drain Source Resistance 5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 400 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Width 4.19mm
Вес, г 0.209

Техническая документация

2N7000
pdf, 107 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 92 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов