2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
![Фото 1/5 2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 руб.
от 100 шт. —
13 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 руб.
Посмотреть аналоги18
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 Ом/0.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 | |
| Крутизна характеристики, S | 80 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
2N7002 datasheet
pdf, 137 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 285 КБ
Datasheet 2N7000
pdf, 757 КБ
Datasheet 2N7002,215
pdf, 109 КБ
2N7000, 2N7002, NDS7002A
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
