Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › 2N7002DW

2N7002DW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.

Номенклатурный номер: 8002983374

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой 2N7002DW от производителя ONSEMI – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD технологии. Этот транзистор обладает током стока 0,073 А и напряжением сток-исток 60 В, что обеспечивает его применение в различных электронных схемах. Мощность устройства составляет 0,08 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – 2,53 Ом, что гарантирует эффективную работу при минимальных потерях. Модель в корпусе SC70-6 идеально подойдет для компактных печатных плат. Надежный и долговечный, транзистор 2N7002DW станет отличным выбором для профессионалов в области электроники. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.073
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	0.08
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	2.53
Корпус	SC70-6

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	0.115(A)
Drain-Source On-Volt	60(V)
Gate-Source Voltage (Max)	'±20(V)
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	2
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	SC-88
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	6
Polarity	N
Power Dissipation	0.2(W)
Rad Hardened	No
Type	Small Signal
Automotive	No
Channel Type	N
Configuration	Dual
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	2000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	200
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Number of Elements per Chip	2
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Part Status	Active
PCB changed	6
PPAP	No
Process Technology	TMOS
Product Category	Small Signal
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SC-88
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	37.8@25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	12.5
Typical Turn-On Delay Time (ns)	5.85
Maximum Continuous Drain Current	115 mA
Maximum Drain Source Resistance	13.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Width	1.25mm
Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Id - Continuous Drain Current:	115 mA
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	2 Channel
Package / Case:	SOT-363-6
Pd - Power Dissipation:	200 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Product:	MOSFET Small Signals
Rds On - Drain-Source Resistance:	7.5 Ohms
Series:	2N7002DW
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	12.5 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5.85 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	0.07