2N7002E-7-F, N-Channel Enhancement MOS

PartNumber: 2N7002E-7-F
Ном. номер: 8004558823
Производитель: DiodesZetex
2N7002E-7-F, N-Channel Enhancement MOS
Доступно на заказ 600 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
7 × = 1 050
Количество товаров должно быть кратно 150 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 0.9A, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Diodes Inc 2N7002E-7-F N-channel MOSFET Transistor, 0.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Maximum Continuous Drain Current
0.3 A
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±40 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.54 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
223 pC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
22 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
11 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
Width
1.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
высота
1.1mm
Length
3mm
Mounting Type
Surface Mount

Дополнительная информация

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet