Добавить к сравнению Сравнить ()

2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]

Артикул: 2N7002LT1G
Ном. номер: 330656548
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Фото 2/5 2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]Фото 3/5 2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]Фото 4/5 2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]Фото 5/5 2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
2 × = 2
от 100 шт. — 1 руб.
от 1000 шт. — 0.90 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The 2N7002LT1G is a 60V N-channel small signal MOSFET capable of 300mW power dissipation and 115mA continuous drain current.

• Halogen-free/BFR-free
• ±20VDC Gate to source voltage
• 60VDC Drain to gate voltage
• 417°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
7500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3.75

Техническая документация

2N7002L
pdf, 58 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N7002LT1G
Datasheet 2N7002LT1G
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов