2N7002P, MOSFET,n-channel,60V,360m

PartNumber: 2N7002P
Ном. номер: 8043333698
Производитель: NXP Semiconductor
2N7002P, MOSFET,n-channel,60V,360m
Доступно на заказ более 800 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
6 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 150 шт.
от 300 шт. — 4 руб.
от 750 шт. — 2.44 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 0.9A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP 2N7002P N-channel MOSFET Transistor, 0.36 A, 60 V, 3-pin SOT-23

Технические параметры

разрешение
Trench MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3 x 1.4 x 1mm
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Continuous Drain Current
0.36 A
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.42 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
30 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
10 ns
Typical Turn-On Delay Time
3 ns
ширина
1.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V

Дополнительная информация

Datasheet